
半導体産業で用いられているシリコン結晶は,原料になるシリコンを高温の石英坩堝中で溶融し,回転しながら徐々に引き上げことで,単結晶インゴットとして育成している。コンピュータで記憶や演算を実行するLSIはインゴットからスライス状に切り出したウエーハから作られる。市販のウエーハ中にごく僅かに存在している不純物ドーパント,酸素,炭素などの濃度が定量評価が標準化されている。他方,シリコン結晶中の点欠陥である原子空孔は,ドーパント拡散や酸素析出において重要な役割を果たすことが知られていたが,その定量評価は行われていなかった。本超域研究では,後藤らが世界に先駆けて見いだした「低温超音波計測によるシリコン結晶中の原子空孔の観測法」を用いテ,シリコンウエーハ中の原子空孔定量評価技術の実用化の研究を行う。このため,シリコン育成企業およびデバイス製造企業との産学連携事業を推進する。
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