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化学・金属

整理番号：0040

薄膜形成方法及びＣＶＤ装置

最終更新日2004年12月16日(木)14時00分

・公開番号
特開２００４－１９７１５９（Ｐ２００４－１９７１５９Ａ）

・公開日
平成１６年７月１５日（２００４．７．１５）

・発明の要約
酸化物の薄膜を、真空を用いることなく、且つ従来よりも低温で被処理基板上に形成することができる方法及びそのためのＣＶＤ装置を提供する。

・発明者名
西野　純一、他

・所属機関
長岡技術科学大学　工学部、他

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